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Ge和In掺杂不仅优化了Seebeck系数，售电施细施细式而且显著提高了载流子浓度和电导率，有助于在宽温度范围内保持高功率因数。最终，侧改这些协同效应使In、Ge掺杂SnSe纳米片获得了高宽温域热电性能，有助于拓展材料的应用。
【导读】热电材料可以实现热能与电能间的直接相互转换，革试革试是一种极具发展潜力的清洁能源材料。溶液合成法生成了Ge、点实电业点实In双掺杂SnSe纳米片，研究发现通过引入Ge和In明显降低了晶粒尺寸，生成了50-100nm的纳米片。利用Ge、则增则正In双掺杂提升SnSe材料的电子态密度，优化全温域塞贝克系数和功率因子。
Sn1-2xGexInxSe纳米片的热导率随着Ge和In掺杂量的增加而降低，量配在873K时获得了0.19Wm-1K-1的超低晶格热导率市场环境风云变幻，江苏衣柜行业也迎来了四大挑战。
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